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随着额半导体技术的飞速发展，集成电路的封装技术也在不断严谨中，传统的封装方法需要在晶圆切割成单个芯片之后进行封装，这种做法不仅增加了工艺复杂度，还限制了封装效率的提升，为了克服这些难题，晶圆级封装（WLP）应运而生，下面将谈谈晶圆级封装技术
上期文章我们最后提到了半导体参数，之所以专门挑一篇文章来说，因为它确实比较重要，可以让我们明白当前各种半导体材料的优势与劣势的原因。 不仅如此，还可以让我们明白一些东西，特别是二极管和三极管的一些特性。其实这些问题，如果明白了下面参数的含义，那么也就理解得差不多了。 禁带宽度首先来看禁带宽度，这个参
DFB激光器芯片和FP激光器的区别 法布里-珀罗激光器(FP-LD)是最常见、最普通的半导体激光器，它最大的特点是激光器的谐振腔由半导体材料的两个解理面构成。目前光纤通信上采用的FP-LD的制作技术已经相当成熟，普遍采用双异质结多量子阱有源层、载流子与光分别限制的结构。FP芯片结构如上图。DF
激光器的线宽和带宽名字很相近，但是表示的意思差很大的。首先看线宽，线宽比较好理解，就是激光光谱的半峰全宽。 激光器带宽，就不是一个光谱的长度单位了，它的全名应该叫激光器调制带宽。半导体激光器的调制带宽是指可以输出的或者加载的最高信号速率（对数字信号而言），或者是输出（或加载的）模拟信号的最大带宽。
在日常的电源设计中，半导体开关器件的雪崩能力、VDS电压降额设计是工程师不得不面对的问题，本文旨在分析半导体器件击穿原理、失效机制，以及在设计应用中注意事项。一、半导体器件击穿原理PN结I-V曲线如图[1]所示：PN结正向导通，反向截止；反向电压超过一定限值VBR，器件发生电击穿；正向导通时，电流超
开关二极管是一种用于控制电流流动的电子元件。它具有快速的开关速度和较小的开关损耗，能够在高频率下工作，广泛应用于电源、通信、计算机和各种电子设备中。01开关二极管基本结构开关二极管由两个半导体材料构成，一个是P型半导体，另一个是N型半导体。
集成电路掺杂工艺
集成电路的制造过程中，掺杂是很重要的一步。最基本的IC工艺步骤如下：掺杂就在芯片工艺段里面，掺杂是什么意思，硅片本身载流子浓度很低，需要导电的话，就需要有空穴或者电子，因此引入其他三五族元素，诱导出更多的空穴和电子，形成P型或者N型半导体。掺杂定义：就是用人为的方法，将所需的杂质（如磷、硼等），以一
STM32是意法半导体（ST）推出的一系列高性能、低功耗的微控制器与微处理器，涵盖基于ARM Cortex-M和部分集成Cortex-A系列内核的32位系统。在所有单片机中，STM32系列以其广泛的型号选择、高性能、低功耗、高级程度以及良好
十大半导体设备厂商排名
12月13日消息，CINNO Research统计数据显示，2023年第三季度全球半导体设备厂商市场规模Top10营收合计超250亿美元，同比下降9%，环比增长3%。其中，荷兰公司阿斯麦（ASML）该季度营收约71亿美元，连续三季度超过美国公司应用材料（AMAT），排名第一。美国公司应用材料（AMA
西安三星扩产！
三星电子高层已决定将其西安 NAND 闪存工厂升级到 236 层 NAND 工艺，并开始大规模扩张。今年 10 月，三星电子获得美国政府无限期豁免，其中国工厂无需特别许可即可进口半导体芯片制作设备，而且他们在取得豁免后也确实在采取相应措施。中建钢构消息显示，三星（中国）半导体 12 英寸闪存芯片 M
